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技術(shù)文章
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程---鹽霧試驗(yàn)

主題內(nèi)容與適用范圍:

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)的鹽霧試驗(yàn)方法.

本標(biāo)準(zhǔn)適用于考核材料及其防護(hù)層的鹽霧腐蝕的能力,以及相似防護(hù)層的工藝質(zhì)量比較,也可以用來(lái)考核某些產(chǎn)品抗鹽霧腐蝕的能力.

本標(biāo)準(zhǔn)()不適用作為通用的腐蝕試驗(yàn)方法.

引用標(biāo)準(zhǔn):

GB 2421 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程     總則

GB 2422 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程     名詞術(shù)語(yǔ)

GB 2424.10 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程   大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則

對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的要求:

1  用于制造試驗(yàn)設(shè)備的材料必須需耐鹽霧腐蝕和不影響試驗(yàn)結(jié)果.

2  試驗(yàn)設(shè)備中工作空間的條件應(yīng)該保持在本標(biāo)準(zhǔn)5章規(guī)定的限度之內(nèi).

3  有足夠大的容積,并能提供均勻的試驗(yàn)條件,且試驗(yàn)時(shí)這此條件不受試驗(yàn)樣品的影響.

4  鹽霧不得直接噴射到試驗(yàn)樣品上.

5  試驗(yàn)設(shè)備工作空間內(nèi)部和內(nèi)壁,以及其它部位的冷凝液不得滴落在試驗(yàn)樣品上.

6  試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)外氣壓必須平衡

試驗(yàn)溶液:

1  鹽溶液采用氯化鈉化學(xué)純.分析鈍和蒸餾水或去離子水配制,其濃度(5±0.1)%(質(zhì)量百分比.)霧化后的收集液,除擋板回部分外,不得重復(fù)使用.

2  霧化前的鹽液的PH值在6.5-7.2(35±2之間,配制鹽溶液時(shí),可采用化學(xué)純的衡鹽或氫氧化鈉的溶液來(lái)調(diào)整PH,但濃度仍須符合4.1條的規(guī)定.

試驗(yàn)條件:

1  試驗(yàn)設(shè)備工作試驗(yàn)室內(nèi)的溫度為35±2. 

2  在工作空間內(nèi)任一位置,用面積為80CM2的漏斗收集霧化16h的鹽霧沉降量,平均每小時(shí)收集到1.0-2.0ml的溶液。

3   本標(biāo)準(zhǔn)采用連續(xù)霧化,的試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間為16.  24.  48.  96.  168.  336.  672h

4   霧化時(shí)必須防止油污,塵埃等雜質(zhì)和噴射空氣的溫、濕度影響工作空間的試驗(yàn)條件.

 

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